Módulo de laser de diodo acoplado de fibra 2W 808nm

Módulo de laser de diodo acoplado de fibra 2W 808nm

Item nº: FC808DL2
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Descrição

 

Módulo de laser de diodo acoplado de fibra 2W 808nm

Visão geral

 

Características:

Design compacto

Fibra multimodo 105um, NA 0,22

Caixa hermeticamente selada e eletricamente isolada

A base altamente{0}condutiva térmica e a fibra de-diâmetro pequeno tornam este produto ideal para aplicações que exigem maior confiabilidade e maior brilho.

Aplicações:

Tratamento médico a laser, bombeamento, outros

Os benefícios de 808 nm como fonte de bomba incluem principalmente alta eficiência de conversão, baixo custo e forte integração. Uma das aplicações mais importantes dos lasers semicondutores de 808 nm como fontes de bomba é como fonte de bomba para lasers de estado-sólido. Hoje, basicamente substituiu as fontes tradicionais de bombas de lâmpadas. A principal razão para esta mudança é a alta eficiência de conversão que não pode ser alcançada pelas bombas de lâmpadas tradicionais. O laser semicondutor de 808 nm tem características de efeitos quânticos devido à sua área ativa extremamente fina, o que reduz bastante a corrente limite do dispositivo e melhora a potência de saída e a eficiência quântica do laser, alcançando assim alta eficiência de conversão‌

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Ficha de dados

Item nº: FC808DL2

Óptico  
Comprimento de onda central 808 nm
Tolerância de comprimento de onda ±5nm
Potência de saída 2W
Largura Espectral FWHM 4 nm
Elétrica  
Iop atual operacional 2.2A
Corrente Limite Ith 0.2A
Tensão operacional Vop 1.8V
Eficiência de conversão de energia 50%
Térmico  
Temperatura operacional 15~35 graus
Temperatura de armazenamento -30~70 graus
Coeficiente de temperatura de comprimento de onda 0,3nm/grau

 

Desenho

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