Matriz Horizontal Laser 2000W 803nm QCW

Matriz Horizontal Laser 2000W 803nm QCW

Nº do item: CC803HA2000
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Descrição

Matriz Horizontal Laser 2000W 803nm QCW


matrizes de diodo laser de alta potência especificamente para operação de longa duração em aplicações quase-CW. Essas matrizes apresentam um novo design de wafer epitaxial que utiliza uma grande cavidade óptica e são empacotados usando solda AuSn e dissipadores de calor compatíveis com CTE.


É dado às bandas de comprimento de onda de 80x e 88x funcionando a 100-300 Watts por barra. Pontos de operação confiáveis ​​são identificados para várias aplicações, incluindo busca de faixa (vida útil do produto inferior a 1 bilhão de disparos) e usinagem industrial (vida útil do produto superior a 20 bilhões de disparos).

100W 976nm G-Stack Diode Laser Arrays

Ficha de dados:
Nº do item: CC803HA2000

Óptico
Comprimento de onda central 803±5nm
Potência de saída 2000W
Quantidade de Barras 10
Modo de trabalho
QCW
Divergência de Eixo Rápido (FWHM) 40 graus
Divergência do Eixo Lento (FWHM) 10 graus
Largura Espectral FWHM
6nm
Frequência 25Hz
Largura do pulso 400us
Elétrico
Iop atual operacional 200A
Ith atual do limite 25A
Tensão Operacional Vop 10V
Térmico
Temperatura de teste 60 graus
Temperatura de armazenamento -55- mais 85 graus
Coeficiente de Temperatura de Comprimento de Onda 0.3nm/grau


Desenho do pacote:

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