Barra de laser de diodo não montada 200 W 808 nm

Barra de laser de diodo não montada 200 W 808 nm

chip de laser de barra única QCW
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Descrição

Chips de diodo laser de barra única 200W 808nm, QCW, chips desencapados não ligados na submontagem

Visão geral do produto: Este produto é amplamente utilizado em processamento industrial, médico, impressão, pesquisa científica, iluminação, exibição a laser e outros campos. Podemos fornecer aos clientes alta potência, longa vida, grande quantidade, design OEM de diferentes potências, diferentes comprimentos de onda de chips de laser, também necessários personalizados.



Operação:
Comprimento de onda central 808nm
Potência de saída óptica 200W
Modo de operação CW
Modulação de potência 100%
Geométrico:
Números de Emissores 60
Largura do Emissor 120um
Emitter Pitch 160um
Fator de Preenchimento 75%
Largura da Barra 10000um
Comprimento da Cavidade 1000um
Espessura 125um
Dados eletro ópticos:
Divergência de eixo rápido (FWHM) 39deg
Divergência de eixo lento (FWHM) 10 graus
Largura de banda espectral (FWHM) 4nm
Comprimento de onda de pulso 803nm
Eficiência de inclinação 1.2W/A
Eficiência de conversão 50%
Limiar de corrente 1.9~2A
Corrente operacional 150~160A
Tensão operacional 1.9~2.1V
Características de Temperatura 0,28 nm / ℃
Polarização TE
Temperatura operacional LD 25℃








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Detalhe de Produtos

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Gráfico PIV



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