Descrição
Chips de diodo laser de barra única 200W 808nm, QCW, chips desencapados não ligados na submontagem
Visão geral do produto: Este produto é amplamente utilizado em processamento industrial, médico, impressão, pesquisa científica, iluminação, exibição a laser e outros campos. Podemos fornecer aos clientes alta potência, longa vida, grande quantidade, design OEM de diferentes potências, diferentes comprimentos de onda de chips de laser, também necessários personalizados.
| Operação: | |
| Comprimento de onda central | 808nm |
| Potência de saída óptica | 200W |
| Modo de operação | CW |
| Modulação de potência | 100% |
| Geométrico: | |
| Números de Emissores | 60 |
| Largura do Emissor | 120um |
| Emitter Pitch | 160um |
| Fator de Preenchimento | 75% |
| Largura da Barra | 10000um |
| Comprimento da Cavidade | 1000um |
| Espessura | 125um |
| Dados eletro ópticos: | |
| Divergência de eixo rápido (FWHM) | 39deg |
| Divergência de eixo lento (FWHM) | 10 graus |
| Largura de banda espectral (FWHM) | 4nm |
| Comprimento de onda de pulso | 803nm |
| Eficiência de inclinação | 1.2W/A |
| Eficiência de conversão | 50% |
| Limiar de corrente | 1.9~2A |
| Corrente operacional | 150~160A |
| Tensão operacional | 1.9~2.1V |
| Características de Temperatura | 0,28 nm / ℃ |
| Polarização | TE |
| Temperatura operacional LD | 25℃ |
Detalhe de Produtos | Gráfico PIV |

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