Barra desmontada com chip de laser de 300mW 500mW 976nm

Barra desmontada com chip de laser de 300mW 500mW 976nm

Modo de trabalho: CW; Modo longitudinal: Único
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Descrição

 

Barra desmontada com chip de laser de 300mW 500mW 976nm

Descrição do produto

O material de trabalho da barra não montada do chip laser de 300mW 500mW 976nm é um material semicondutor, que forma uma junção P-N combinando semicondutor tipo P-e material semicondutor tipo N-. Através da corrente direta, a inversão do número de partículas é alcançada e, sob as restrições técnicas do material reflexivo, a amplificação da luz da radiação estimulada é alcançada. Este processo envolve excitação elétrica como fonte de bomba, material semicondutor como meio de ganho, através da amplificação de seleção do modo de cavidade ressonante e, em seguida, saída do laser para completar a conversão fotoelétrica

Vantagens:

>longa vida útil

>alta eficiência

>amplamente utilizado em bombas industriais, iluminação a laser, P&D e outros campos

Single Emitter Laser Chip on Submount Package
 

Especificação

Óptico Mínimo Tipo Máx. Unidade
Comprimento de onda central 971 976 981 nm
Potência de saída   300 500 mW
Largura do espectro   1.6 2 nm
Eficiência de Inclinação 0.75 0.8   W/A
Elétrica Mínimo Tipo Máx. Unidade
Iop atual operacional 600 700 800 mA
Corrente Limite Ith   30   mA
Tensão operacional Vop 1.5 1.7 1.9 V
Eficiência de conversão 35 40   %
Térmico Mínimo Tipo Máx. Unidade
Temperatura operacional 15 20 25 grau
Coeficiente   0.3   nm/grau

 

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3. Assim que o pagamento for feito, providenciaremos a produção
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