Barra desmontada com chip de laser de 300mW 500mW 976nm
O material de trabalho da barra não montada do chip laser de 300mW 500mW 976nm é um material semicondutor, que forma uma junção P-N combinando semicondutor tipo P-e material semicondutor tipo N-. Através da corrente direta, a inversão do número de partículas é alcançada e, sob as restrições técnicas do material reflexivo, a amplificação da luz da radiação estimulada é alcançada. Este processo envolve excitação elétrica como fonte de bomba, material semicondutor como meio de ganho, através da amplificação de seleção do modo de cavidade ressonante e, em seguida, saída do laser para completar a conversão fotoelétrica
Vantagens:
>longa vida útil
>alta eficiência
>amplamente utilizado em bombas industriais, iluminação a laser, P&D e outros campos

Especificação
| Óptico | Mínimo | Tipo | Máx. | Unidade |
| Comprimento de onda central | 971 | 976 | 981 | nm |
| Potência de saída | 300 | 500 | mW | |
| Largura do espectro | 1.6 | 2 | nm | |
| Eficiência de Inclinação | 0.75 | 0.8 | W/A |
| Elétrica | Mínimo | Tipo | Máx. | Unidade |
| Iop atual operacional | 600 | 700 | 800 | mA |
| Corrente Limite Ith | 30 | mA | ||
| Tensão operacional Vop | 1.5 | 1.7 | 1.9 | V |
| Eficiência de conversão | 35 | 40 | % |
| Térmico | Mínimo | Tipo | Máx. | Unidade |
| Temperatura operacional | 15 | 20 | 25 | grau |
| Coeficiente | 0.3 | nm/grau |
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