Diodo Laser Chip On Submount

 

Díodo laser de submontagem de chip

Características principais:

Projeto de submontagem com chip e pacote selado com P Down

Conformidade com RoHS de ligação AuSn

808 nm, 915 nm, 975 nm comprimento de onda opcional

Alta eficiência eletro-óptica

Alta confiabilidade e longa vida útil

Para bombeamento, iluminação, processamento de materiais e aplicações médicas

PROTEÇÃO ESD - Descarga eletrostática é a principal causa de falha inesperada do produto. Tome extremo cuidado para evitar ESD. Use pulseiras, superfícies de trabalho aterradas e rigorosas técnicas antiestáticas ao manusear o produto.

Ficha de dados:

Nº do item: COS808DL10

Ótico
Comprimento de onda central	808 ± 5nm
Potência de saída	10W
Largura espectral FWHM	6nm
Eficiência de inclinação	1.0W/A
Elétrico
Operando Iop atual	12A
Limiar de corrente Ith	1.5A
Tensão operacional Vop	1.8V
Eficiência de conversão de energia	50%
Térmico
Temperatura de operação	15-55℃
Temperatura de armazenamento	-30~70℃
Coeficiente de temperatura do comprimento de onda	0,3nm / ℃

Desenho da embalagem:

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