Chip Laser de Emissor Único 3W 808nm
O número do modelo do Chip Laser de Emissor Único 3W 808nm é LC808SE3, com uma largura de faixa de luz de 150μm, comprimento de cavidade de 1mm, eficiência de conversão fotoelétrica de 60% e vida útil de mais de 10,000 horas. Além disso, o chip também usa um novo design de estrutura epitaxial e epitaxia de material, design avançado de janela sem bomba e tecnologia de preparação, corrosão seca e úmida combinada com tecnologia de autoalinhamento, controle a consistência da largura da tira, especialmente para garantir alto rendimento sob massa produção, reduza o custo do chip a laser. Ao mesmo tempo, a adoção de novas tecnologias melhorou muito as características de resistência a altas temperaturas, de modo que o Chip Laser de Emissor Único 3W 808nm pode estar na temperatura ambiente de 60 graus ou até mesmo em temperatura mais alta sob a condição de operação contínua.
Inscrição:
Fonte de bombeamento de laser de fibra
Fonte de bombeamento a laser de estado sólido
Laser semicondutor direto
Ficha de dados:
Nº do item: LC808SE3
| óptico | |
| Comprimento de onda central | 808nm |
| Potência de saída | 3W |
| Modo de trabalho |
CW |
| Largura Espectral FWHM | 2nm |
| Eficiência de inclinação |
1.2W/A |
| Divergência de Eixo Rápido | 35 graus |
| Divergência de eixo lento | 9 graus |
| Modo de polarização | TE |
| Elétrico | |
| Limite atual | 0.4A |
| Corrente Operacional | 2.8A |
| Tensão operacional | 1.75V |
| Eficiência de conversão de energia | 60 por cento |
| Térmico | |
| Temperatura de operação | 15-35 grau |
| Comprimento de onda Temp. Coeficiente | 0,28 nm/ grau |
Tag: Fornecedores de chip de laser de emissor único 3w 808nm, fabricantes China, fábrica, atacado, fabricado na China