Os lasers bombeados a laser de fibra acoplados são os novos lasers que mais crescem e são amplamente utilizados nos últimos anos. Seu desenvolvimento é inseparável do desenvolvimento de lasers semicondutores. Estreia em 1960 dos primeiros lasers de rubi. Em 1962, saiu-se o primeiro laser de semicondutor de arsênio de gálio de junção homogênea. Em 1963, Newman propôs pela primeira vez o uso de semicondutores como um conceito de fonte de bomba laser de estado sólido. Com o aumento da potência de saída LD, em 1968 Ross percebeu pela primeira vez o uso de GaAs Fiber Acoplado Diodo Laser bombeado Nd: YAG laser. Pela primeira vez em 1973, os lasers ND pulsados foram relatados e apontaram as vantagens do bombeamento end-pumped. Chesler e Singh dão o modelo teórico do laser bombeado final no modo multi-transverso e modo transverso único, e o limiar teórico da bomba com base na suposição da bomba uniforme é basicamente consistente com os resultados experimentais. Em 1976, os lasers YAG com diodos ultra-luminosos foram bombeados à temperatura ambiente para operação contínua. Desde a década de 1980, o laser semicondutor e sua matriz de trabalhos de pesquisa fizeram um grande avanço, promoveram muito os dispositivos laser de estado sólido, tecnologia e desenvolvimento de aplicações, e levaram a um renascimento abrangente de lasers de estado sólido. Com o aparecimento da estrutura do poço quântico e o crescimento da tecnologia de crescimento de cristais, como a deposição de vapor químico orgânico metálico (MOCVD) e a epitaxia do feixe molecular (MBE), a corrente limiar de LD é obviamente reduzida, a eficiência de conversão e a potência de saída são melhoradas significativamente, potência de saída de matriz a laser de semicondutores único de 1W a 2W. Uma única potência de produção contínua LD de 100mw a 200mw.90 anos, a tecnologia de produção de Diodo Acoplado de Fibra e o processo de produção gradualmente maduro, a vida, a confiabilidade melhorou muito, o que o desenvolvimento dpl e a aplicação de novos progressos é particularmente proeminente. 1992, o Laboratório Nacional Dos Estados Unidos Laurent - Rivermore desenvolveu com sucesso lasers de diodo de alta potência da classe kilowatt. Em 1994, o Departamento de Energia dos EUA anunciou a aprovação do programa "National Ignition Facility". 2001 Akiyama et al. Usei um laser Nd de três vias: YAG para obter uma saída laser de 5,4kW com uma eficiência de conversão eletro-óptica de 22%. Em 2002, a empresa norte-americana TRW desenvolveu uma saída de 5,4kW Fiber Acoplado Diode Laser bombeado Nd: YAG laser. Em 2006, a Nordisk dos Estados Unidos conseguiu uma saída a laser de 19kW. Em resumo, a DPL é a mais dinâmica e promissora em lasers de estado sólido.
Como o laser bombeado por diodo tem as vantagens de alta potência, alta qualidade de saída de feixe, pequeno efeito térmico, alta eficiência e estrutura de dispositivos compactos, torna-se o principal dispositivo da tecnologia da informação. Sua ampla gama de aplicações, amplo comprimento de onda, a velocidade de desenvolvimento são outros tipos de lasers que não podem coincidir.
Atualmente, o campo de lasers de estado sólido bombeado por diodo é muito extenso, como militares, médicos, industriais e outros campos.
Com o interruptor conduzido e seu sistema de origem de gatilho como uma fonte de pulso de alta potência ultrarrápida, com isolamento óptico, o fundo de transmissão é um dispositivo de ignição de armas, pode efetivamente resistir à interferência eletromagnética e melhorar a confiabilidade; ao mesmo tempo, como uma fonte de pulso ultrarrápida de alta potência, interferência e confronto, e as áreas técnicas correspondentes.
Um grupo de pesquisa estrangeiro usou um complexo sistema óptico para obter uma série de fios de corrente linear na superfície dos interruptores fotocondutivos GaAs. O interruptor de 1 cm foi acionado pela luz laser do nível de potência. Quando a tensão de viés era de 60 kV, a quantidade de corrente de nível kA.
O trabalho da tensão de viés é menor do que a ordem de magnitude do grupo de pesquisa estrangeira 1, a energia luminosa do gatilho é menor do que as 3 ordens estrangeiras de magnitude, o uso de um único laser de diodo de fibra acoplado para obter magnitude kA da alta corrente. O interruptor fotocondutivo GaAs e seu sistema de gatilho com toda sólida, tamanho pequeno, baixa vantagem de preço.
Obras de inovação principalmente para:
(1) Interruptor fotocondutivo gaAs para fonte de luz de gatilho com laser de diodo acoplado de fibra, em vez da menção tradicional de um grande laser de estado sólido. Você pode obter fonte de pulso de baixo custo e de alto volume de alta potência.
(2) no projeto do gatilho do interruptor fotocondutivo GaAs, design de alta pressão, fazendo o microfoco no gatilho de luz fraca, a carga sub-ohm na magnitude kA do pulso de corrente forte.
(3) usar o modelo de circuito e a teoria do domínio de carga de excitação óptica para explicar a forma de onda de pulso elétrico não aparece razões de fenômeno de travamento.