VCSEL, ou seja, laser emissor de superfície de cavidade vertical, combina as vantagens de alta potência de saída, alta eficiência de conversão e feixe de alta qualidade. Comparado com LED e EEL laser emissor de bordas, ele tem as vantagens da precisão, miniaturização, baixo consumo de energia, confiabilidade e outros aspectos são superiores em todos os aspectos.
Os dispositivos VCSEL possuem duas estruturas básicas. Uma delas é uma estrutura de topo: é cultivada em um substrato de GaAs do tipo n usando a tecnologia MOCVD, o DBR é usado como espelho de cavidade laser, e a região ativa do poço quântico é sanduíche entre n-DBR e p-DBR entre. A outra é a estrutura de emissão inferior, que é geralmente usada para produzir a banda de 976-1064nm. Normalmente o substrato é diluído a menos de 150μm para reduzir a perda de absorção do substrato, e então uma camada de revestimento antireflexão é cultivada para melhorar a qualidade do raio laser. Finalmente, o chip de ganho instalado na dissipação de calor.
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