Fotodiodo PIN de silício 400nm 1100nm

Fotodiodo PIN de silício 400nm 1100nm

PD8TO411
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Descrição
product-753-502
 
 
Fotodiodo PIN de silício 400nm 1100nm

Características:

  • Normalmente de 400 nm a 1100 nm, cobrindo UV até o-infravermelho próximo.
  • PARA8pacote

Aplicações:

  • Comunicação óptica
  • Usado em dispositivos como oxímetros de pulso.

Especificação:

Número do item: PD8TO411

Nome do item: Fotodiodo PIN de silício

 

Avaliações Máximas Absolutas

   

Tensão operacional

40 V
Potência óptica saturada

0.3

(L/cm2)

Temperatura máxima de soldagem 260 grau
Temperatura operacional -40~+100 grau
Temperatura de armazenamento -55~+125 grau
Valor óptico-eletrônico (T=25 grau)    
Faixa de resposta do espectro 400~1100 nm
Diâmetro ativo 8 milímetros
Comprimento de onda de resposta de pico 930 nm
Responsividade 0.63 A/W
Corrente escura 3 n / D
Tempo de subida 20 ns
Capacitância de junção VR=15V f=1MHz 70 pF
Tensão de ruptura 25 grau

 

Desenho:

 

product-659-334

 

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