Diodo VCSEL SMD de 1W 850nm com PD
Visão geral
Características:
Modo longitudinal único de 850 nm
Desvio de comprimento de onda baixo
Tecnologia de isolamento de óxido
Corrente de baixo limite
Alta confiabilidade
Fácil de colimar
Aplicações:
Sensores 3D
Lidars
Iluminações infravermelhas
Aplicações médicas
Sensores de proximidade


Feixe de saída circular
Ao contrário dos emissores-de borda, o diodo VCSEL SMD de 1 W e 850 nm com PD emite um feixe circularmente simétrico com baixa divergência sem a necessidade de óptica adicional. Isso tem sido uma tremenda vantagem para VCSELs de baixa{4}}potência nos mercados de telecomunicações e comunicação de dados devido à sua capacidade de acoplar diretamente às fibras ("acoplamento-de topo") com alta eficiência de acoplamento. 1W 850nm VCSEL SMD Diode com PD emite em um perfil de feixe quase-top-de cartola, tornando esses dispositivos ideais para bombeamento direto ("bombeamento-de topo") de lasers-de estado sólido.
Características
| Parâmetro | Tipo. |
| Comprimento de onda central | 850 ± 10 nm |
| Potência de saída | 1W |
| Corrente Limite | 0.15A |
| Corrente direta | 1.3A |
|
Eficiência de conversão de energia |
35% |
| Eficiência de Inclinação | 0.87W/A |
| Área de Emissão | 354×355um |
| Tensão direta do laser | 2.2V |
| Resistência em série | 0.71Ω |
| Ângulo de feixe | 18 graus |
| Temperatura do comprimento de onda. Deriva | 0,07nm/grau |
| Temperatura de soldagem | 260(10s) graus |
| Substrato | AIN |
| Temperatura operacional da caixa | -40-85 graus |
| Temperatura de armazenamento | -40-105 graus |
Esquemas Mecânicos

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