Descrição
Chip de laser VCSEL de 1W 940nm
Especificações Mecânicas
Dimensões
frente: 51 mil × 45 mil (1280 ± 25um × 1130 ± 25um)
verso: 51 mil × 45 mil (1280 ± 25um × 1130 ± 25um)
espessura: 6mil (150 ± 25um)
almofada de colagem: 92 ± 15um × 1070 ± 15um × 2
Abertura: 7 ± 2 um
Passo de emissão: 44 ± 1 um
Número de Emissão: 621
Materiais e Estruturas
substrato ： GaAs
p-metalização: liga de ouro
n-metalização: liga de ouro
estrutura epitaxial ： InGaAs MQWs
Características
| Parâmetro | Tipo |
| Comprimento de onda central | 940 ± 10nm |
| Potência de saída | 3W |
| Tensão para frente | 1.95V |
| Meia Onda | 1,1 nm |
| Eficiência de inclinação | 1.02W/A |
| Comprimento de onda dominante | 44.1% |
| Temp. Comprimento de onda Coeficiente | 0,07 nm / ℃ |
| Corrente inversa | 1uA |
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